快科技 4 月 9 日音信jk 黑丝，据媒体报说念，近日，Ferroelectric Memory Co.（FMC）与 Neumonda 秘书竖立和洽伙伴干系，起劲于将一种名为" DRAM+ "的新式内存架构推向市集。

这种内存时刻将 DRAM 的高速性能与非易失性数据保留技艺相调处，处分了高速 DRAM 与 NAND 闪存等存储之间的性能差距。

DRAM+ 时刻的中枢在于用铁电氧化铪（HfO2）元件替代传统 DRAM 中的电容器，HfO2 元件省略在无需电源的情况下抓久存储数据，还能保抓纳秒级的拜访速率。

与以前使用的锆钛酸铅（PZT）比拟，HfO2 具有更高的可推广性jk 黑丝，省略与现存的半导体制造工艺兼容，复旧 10 纳米以下的制造工艺，并完毕千兆位级别的存储密度。

FMC 的 DRAM+ 时刻主要针对需要抓久性、低功耗和高性能的特定哄骗，如 AI 加快器、汽车电子执法单位（ECU）以及医疗植入物等。

通过排斥传统的刷新周期，DRAM+ 省略显耀缩短静态功耗，比拟传统单晶体管 / 单电容器 DRAM 单位更具上风。

Neumonda 将为 FMC 提供其先进的测试平台套件 Rhinoe、Octopus Raptor，用于电气特质和分析，不外两边尚未公布商用 DRAM+ 产物的具体坐蓐时间表。